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长江存储科技有限责任公司于今日在 2022 年闪存峰会(FMS)上正式发布了基于晶栈(Xtacking)3.0 技术的第四代 TLC 三维闪存 X3-9070。相比长江存储上一代产品,X3-9070 拥有更高的存储密度,更快的 I / O 速度,并采用 6-plane 设计,让其在性能提升的同时做到了功耗更低。

自 2018 年问世以来,晶栈(Xtacking)技术已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。在晶栈从 1.0 到 3.0 的迭代发展中,长江存储基于该技术打造了多款长江存储系统解决方案产品,包括 SATA III、PCIe Gen3、Gen4 固态硬盘,以及用于移动通信和其他嵌入式应用的 eMMC、UFS 等嵌入式存储产品。

Forward Insights 创始人兼首席分析师 Gregory Wong 表示,存储阵列和外围逻辑电路的混合键合技术对推动 3D NAND 技术发展和创新至关重要。目前,长江存储 X3-9070 已经通过美国电子器件工程联合委员会(JEDEC)定义的多项测试标准。

具体来说,长江存储 X3-9070 拥有以下优势:

• 性能方面:实现高达 2400MT / s 的 I / O 传输速率,符合 ONFI5.0 规范,相比上代产品提升了 50%。

• 密度方面:晶栈 3.0 的架构能够在更小的单颗芯片中实现 1Tb 的存储容量,这让 X3-9070 成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品。

• 产品体验方面:得益于创新的 6-plane 设计,X3-9070 相比传统 4-plane,性能提升 50% 以上,同时功耗降低 25%。

值得一提的是,据供应链消息,长江存储 X3-9070 堆叠层数已达到 232 层,达到业界领先水平。

IT之家了解到,SK 海力士今日宣布开发出 238 层 NAND 闪存芯片,预计明年上半年量产。此外,美光公司于 7 月 26 日宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产,其速度提升 50%,可实现有史以来最高的 TLC 密度(14.6 Gb / mm2)。