网络自助新闻发稿平台，价格低，发稿快

自从华为被美制裁后,实现芯片的自给自足,就成为了中国科技产业的共同目标。正所谓“缺芯少魂”,只有拥有了自研芯片,才能摆脱这种绝境。然而,芯片制造的过程中,有一座高耸入云的“高山”挡在路上,翻过去很难,绕过去也不简单,它就是EUV光刻机。再加上传统硅基芯片也已经接近物理极限,技术难度越来越高,“中国芯”要面临的困难和挑战相当大。

近日,芯片市场传来两个消息,喜忧参半,一个好消息,一个坏消息,复旦大学立功了!

坏消息是,Rapidus联合欧洲芯片研究机构IMEC推进2nm芯片生产。

好消息是,复旦大学绕开EUV工艺,研发出能够实现卓越性能的异质CFET技术。

Rapidus是日本八巨头合资成立的半导体公司,主攻2nm以下高端芯片领域,背靠软银、丰田、恺侠、索尼、三菱、NTT、NEC以及Denso八大巨头,实力不容小觑。这家企业还获得了700亿日元的补贴,也是日本半导体产业重回高端芯片领域巅峰的希望。

而IMEC则是欧洲最大芯片研发机构,这两家企业就EUV光刻机关键技术达成了合作意向,IMEC未来可能会在日本建立研发团队,且Rapidus公司还会派工程师前往IMEC培训学习,从而实现1+1>2的效果。

之所以说这是个坏消息,就是因为除了韩美外,日本和欧洲也开始加快半导体产业的发展,“中国芯”要面对的竞争对手更多,挑战更大,但留给中国半导体产业的时间并不多了。

但值得庆幸的是,还是有好消息传来的,复旦大学官宣,在绕开EUV工艺的大背景下,在自研晶圆级硅基二维互补叠层晶体管技术下,集成度能够翻倍,从而实现高性能。这项技术就是通过成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上,从而就能实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。